Renesas ha annunciato il 6 ottobre la sua prima famiglia di transistor discreti GaN E-mode a bassa tensione da 100 V. La gamma comprende quattro dispositivi e indica tra le applicazioni l’alimentazione dei data center AI, la robotica, l’automazione e gli azionamenti industriali.

Secondo i dati dichiarati dal produttore, i transistor raggiungono riduzioni fino al 35% del parametro FOM in hard-switching e fino al 63% in soft-switching rispetto a dispositivi GaN comparabili. Renesas indica inoltre un footprint compatibile con il silicio.